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儲(chǔ)能電源使用的MOS管，8款場(chǎng)效應(yīng)管詳細(xì)參數(shù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)！
儲(chǔ)能電源使用的MOS管，8款場(chǎng)效應(yīng)管詳細(xì)參數(shù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)！
文章作者：飛虹電子
瀏覽量：10231
類型：行業(yè)資訊
日期：2022-03-17 16:54:18
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儲(chǔ)能電源MOS管使用推薦合集，今天我們就來細(xì)談細(xì)談。在社會(huì)的飛速發(fā)展中，戶外出游無論在國(guó)外還是國(guó)內(nèi)都有越來越多的自駕愛好者、戶外旅行團(tuán)隊(duì)等加入，對(duì)便攜式儲(chǔ)能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對(duì)MOS管的使用。
畢竟不同類型的儲(chǔ)能電源電路設(shè)計(jì)要使用的MOS管還是有所差異的，因此今天飛虹電子整理了這一份儲(chǔ)能電源可使用的國(guó)產(chǎn)MOS管合集，供廣大電子工程師參考。
目前國(guó)產(chǎn)MOS管中，可替換多款場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品使用的具體型號(hào)為：FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A，以上8款產(chǎn)品都是可以應(yīng)用于儲(chǔ)能電源中的。
究竟還需要怎么考慮？當(dāng)然需要結(jié)合場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)參數(shù)數(shù)據(jù)，具體我們來細(xì)看一些以上8款產(chǎn)品的核心型號(hào)參數(shù)情況：
1、FHP120N7F6A場(chǎng)效應(yīng)管：
最高漏極－源極直流電壓為70V，在TC=25℃下，其連續(xù)漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續(xù)漏極電流為80A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為5.4mΩ；反向傳輸電容：24pF。
2、FHP170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管：
具體產(chǎn)品參數(shù)，具有172A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100%EAS測(cè)試，100%Rg測(cè)試，100%DVDS熱阻測(cè)試，優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
3、FHP200N6F3A場(chǎng)效應(yīng)管：
具體產(chǎn)品參數(shù)，具有200A、60V的電流、電壓， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測(cè)試，100% Rg測(cè)試，100% DVDS測(cè)試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點(diǎn)。
FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。
4、FHP200N4F3A場(chǎng)效應(yīng)管：
具有200A、40V的電流、電壓， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測(cè)試，100% Rg測(cè)試，儲(chǔ)能電源用mos管100% DVDS測(cè)試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點(diǎn)。
FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。
5、FHP170N8F3A場(chǎng)效應(yīng)管：
最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其連續(xù)漏極電流為185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續(xù)漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續(xù)漏極電流為117.2A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為2.95mΩ；反向傳輸電容：97pF。
6、FHP110N8F5B場(chǎng)效應(yīng)管：
其產(chǎn)品參數(shù)：具有147A電流、85V電壓， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高柵源電壓 @VGS =±20 V，100% EAS測(cè)試，100% Rg測(cè)試，100% DVDS測(cè)試，極低的FOM(RDSON*Qg)，鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點(diǎn)。
FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。
7、FHP100N8F6A場(chǎng)效應(yīng)管：
100N8F6A場(chǎng)效應(yīng)管的最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，儲(chǔ)能電源用mos管其連續(xù)漏極電流為120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續(xù)漏極電流為80A，在TC=125℃下，其連續(xù)漏極電流為56A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：320（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為5.3mΩ；反向傳輸電容：18pF。
8、FHP60N1F10A場(chǎng)效應(yīng)管：
FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具備100% EAS測(cè)試，100% Rg測(cè)試，儲(chǔ)能電源用mos管100% DVDS測(cè)試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點(diǎn)。
FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
以上8款產(chǎn)品便是國(guó)產(chǎn)MOS管在使用過程中的核心數(shù)據(jù)呈現(xiàn)，具體可有儲(chǔ)能電源開發(fā)工程師進(jìn)一步選擇使用。畢竟不同的性能以及需求對(duì)應(yīng)要選擇的MOS管還是會(huì)有差異的，詳細(xì)參數(shù)規(guī)格表可登陸“飛虹電子”網(wǎng)址。
飛虹電子是優(yōu)質(zhì)的MOS管研發(fā)團(tuán)隊(duì)，過程中會(huì)有專業(yè)的產(chǎn)品工程師與廠家共同維護(hù)研發(fā)，讓企業(yè)產(chǎn)品能夠得到最優(yōu)的保障。
除參數(shù)適合外，飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給逆變器廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有33年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。
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熱門標(biāo)簽：儲(chǔ)能電源用mos管
